类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220 |
漏源极电阻 | 2.70 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 135 W |
漏源击穿电压 | 1.00 kV |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
上升时间 | 11 ns |
输入电容值(Ciss) | 1500pF @25V(Vds) |
下降时间 | 22 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 135000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP55NF06L.. 场效应管, MOSFET, N沟道
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ? N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH?MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP5NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP55NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 18 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP5NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP5NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 800 V, 1.9 ohm, 10 V, 3.75 V
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