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STW200NF03
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STW200NF03 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:N沟道30V - 0.002欧姆 - 120A TO- 247超低导通电阻STripFET⑩ II MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.002 ohm - 120A TO-247 ULTRA LOW ON-RESISTANCE STripFET⑩ II MOSFET
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STW200NF03 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流120 A
封装TO-247-3
漏源极电阻2.00 mΩ
极性N-Channel
功耗350W (Tc)
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)120 A
输入电容值(Ciss)10000pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)350W (Tc)
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STW200NF03 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STW200NF03 数据手册

STW200NF03 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.002欧姆 - 120A TO- 247超低导通电阻STripFET⑩ II MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.002 ohm - 120A TO-247 ULTRA LOW ON-RESISTANCE STripFET⑩ II MOSFET
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