| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 功耗 | 90W (Tc) |
| 输入电容 | 850 pF |
| 栅电荷 | 31.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
| 上升时间 | 18.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 850pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 90 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 90W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.37ohm -10A - TO- 220 ， TO- 220FP- IPAK - DPAK第二代的MDmesh功率MOSFET N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V ， 0.37 Ω ， 10 A ， FDmesh ™II功率MOSFET I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK
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