| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 900 V |
| 额定电流 | 5.80 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 2.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 135W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 漏源击穿电压 | 900 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.80 A |
| 上升时间 | 10.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1400pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 135W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.32 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP6NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP65NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP60NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP6NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP6NK90ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP6N120K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.014ohm - 60A TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP6NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
