| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 13.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 漏源极电阻 | 480 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 190W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.0 A |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2600pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW13NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW13N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 800 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V - 0.53W - 12A TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.53W - 12A TO-247 Zener-Protected SuperMESH?Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 0.250ヘ - 12A - TO- 220 / FP - TO- 247 - I2 / D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.250ヘ - 12A - TO-220/FP - TO-247-I2/D2PAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V ， 0.28欧姆（典型值） ， 11一个的MDmesh II功率MOSFET采用TO- 220FP ， I2PAK ， TO- 220 ， IPAK ， TO- 247封装 N-channel 600 V, 0.28 ohm typ., 11 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220FP, I2PAK, TO-220, IPAK, TO-247 packages
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高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor
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N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO- 247 / ISOWATT218的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
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