| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 供电电流 | 0.1 mA |
| 漏源极电阻 | 35.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 74000 mW |
| 漏源击穿电压 | 40.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 输出电流(Max) | 12 A |
| 输出电流(Min) | 12 A |
| 耗散功率(Max) | 74000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 高度 | 9.15 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
电源开关/驱动器 1：1 N 通道 12A TO-220AB
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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