类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-247-3 |
极性 | N-CH |
功耗 | 170 W |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 11.6A |
上升时间 | 32 ns |
下降时间 | 12 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
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STMICROELECTRONICS STW12NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
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1200V,12A,690mΩ,N沟道功率MOSFET
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STMICROELECTRONICS STW120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 9 mohm, 10 V, 4 V
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N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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N沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N-Channel enhancement mode fast power mos transistor
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N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 1.7 kV, 2.3 ohm, 10 V, 4 V
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