| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.25 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 190 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2070pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 190 W |
| 下降时间 | 50 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.75 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 20.15 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STW18NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
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STMICROELECTRONICS STW18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V 新
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW18NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
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场效应管(MOSFET) STW18N60M2 TO-247-3
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N沟道800V - 0.34ヘ - 19A - TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 800V - 0.34ヘ - 19A - TO-247 Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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N沟道400V - 0.19ohm - 18.4A TO- 247 / ISOWATT218的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
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N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N沟道600V - 0.27з - 16A TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.27з - 16A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道400V - 0.19ohm - 18.4A TO- 247 / ISOWATT218的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
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