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SUD50N04-8M8P-4GE3
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SUD50N04-8M8P-4GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:SUD50N04-8M8P-4GE3 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
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SUD50N04-8M8P-4GE3 数据手册 (9 页)
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SUD50N04-8M8P-4GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TO-252-3
功耗48.1 W
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)2400pF @20V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
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SUD50N04-8M8P-4GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SUD50N04-8M8P-4GE3 数据手册

SUD50N04-8M8P-4GE3 数据手册
Vishay Siliconix
9 页 / 0.17 MByte
SUD50N04-8M8P-4GE3 其他数据使用手册
Vishay Siliconix
9 页 / 0.16 MByte

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