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TC58BYG1S3HBAI6
来自 AiPCBA

TC58BYG1S3HBAI6 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:存储芯片
封装:VFBGA-67
描述:NAND闪存 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
TC58BYG1S3HBAI6 数据手册 (51 页)
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TC58BYG1S3HBAI6 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数67 Pin
封装VFBGA-67
位数8 Bit
存取时间25 ns
工作温度(Max)85 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
电源电压1.7V ~ 1.95V

TC58BYG1S3HBAI6 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
高度0.7 mm
工作温度-40℃ ~ 85℃ (TA)

TC58BYG1S3HBAI6 数据手册

TC58BYG1S3HBAI6 其他数据使用手册
Toshiba（东芝）
51 页 / 1.29 MByte

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