| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 16 Pin |
| 封装 | DIP-16 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 1.47 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 1000 |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1470 mW |
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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ST Microelectronics（意法半导体）
七达林顿阵列 Seven Darlington array
UTC（友顺）
达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULN2003A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2G. 达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC
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