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ZXMC3A17DN8
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ZXMC3A17DN8 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:SO
PDF文件:ZXMC3A17DN8 数据手册 (10 页)封装尺寸在10 页
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ZXMC3A17DN8 数据手册 (10 页)
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ZXMC3A17DN8 技术参数、封装参数

类型描述
封装SO
漏源极电阻65.0 mΩ
极性N-Channel, P-Channel
功耗1.25 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)5.40 A
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ZXMC3A17DN8 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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ZXMC3A17DN8 数据手册

ZXMC3A17DN8 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.29 MByte
ZXMC3A17DN8 产品封装文件
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.26 MByte

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