集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 15V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 2.5V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 65mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 8.5Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon NPN epitaxial planer type For 2GHz band low-noise amplification High transition frequency fT Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing 描述与应用| NPN硅外延平面型 用于2GHz频段低噪声放大 高转换频率FT 迷你型包装,通过带盒封装允许缩减设备规模和自动插入
Panasonic(松下)
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