反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 150mA/0.15A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 400mV/0.4V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Schottky Barrier Diodes (SBD) • Silicon epitaxial planar type • For super-high speed switching circuit • For wave detection circuit • Sealed in the S-mini (2-pin) mold and super small type • Low forward rise voltage (VF) and satisfactory wave detection efficiency (η) • Extremely low reverse current IR • Small temperature coefficient of forward characteristic 描述与应用| •肖特基势垒二极管(SBD) •硅外延平面型 •超高速开关电路 •波检测电路 •S-迷你(2脚)模具和超小型密封 •低正向上升电压(VF)和满意的波检测效率(η) •极低的反向电流IR •温度系数小的正向特性
Panasonic(松下)
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