类型 | 描述 |
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封装 | PW-MOLD |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
集电极最大允许电流 | 5A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 800~3200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| <500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Features •TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type •Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications •High DC current gain : hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 2 V, IC = 0.5 A) : hFE (2) = 250 (VCE = 2 V, IC = 4 A) •Low collector saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 4 A, IB = 40 mA) •High power dissipation : PC = 10 W (Tc = 25°C), PC = 1.0 W (Ta = 25°C) 描述与应用| 特点 •东芝晶体管的硅NPN外延型 •闪光灯应用中功率放大器应用 •高直流电流增益:HFE(1)=800〜3200(VCE=2 V,IC= 0.5 A) HFE(2)=250(VCE=2 V,IC= 4) •低集电极饱和电压VCE(星期六)=0.5 V(最大值)(IC= A,IB=40毫安) •高功耗PC =10 W(TC= 25°C),PC=1.0 W(大= 25°C)
Toshiba(东芝)
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