SSM6K07FU 数据手册 - Toshiba（东芝）

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.13Ω/Ohm @750mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.1-1.8V 耗散功率Pd Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| DC-DC Converters High Speed Switching Applications Small package Low on resistance : Ron = 130 mΩ max (@VGS = 10 V) Ron = 220 mΩ max (@VGS = 4 V) Low input capacitance : Ciss = 102 pF typ. Crss = 22 pF typ. 描述与应用| 高速开关应用 小型封装 低导通电阻RON =130mΩ最大（@ VGS= 10V） RON =220mΩ最大（@ VGS=4 V） 低输入电容：西斯​​=102 pF（典型值）。 反向传输电容=22 pF（典型值）