| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 16 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -16V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.54Ω @-1A,-4V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.5--1.7V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE 2.5V gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 2.5V栅极驱动 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式
Toshiba（东芝）
5 页 / 0.27 MByte
Toshiba（东芝）
6 页 / 0.38 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
