类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT-523 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.1A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 7Ω/Ohm @10mA,2.5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment High Speed Switch Applications Analog Switch Applications Features Silicon N Channel MOS Type For Portable Equipment High Speed Switch Applications Analog Switch Applications High input impedance 1.5 V gate drive Low gate threshold voltage: Vth = 0.5~1.0 V Small package 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 对于便携式设备 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS型 对于便携式设备 高速开关应用 模拟开关应用 高输入阻抗 1.5 V门驱动 低栅极阈值电压VTH =0.5〜1.0 V 小型封装
Toshiba(东芝)
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