类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-252 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 370 V |
集电极最大允许电流 | 2A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 600v \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 370V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 50~120 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.0 耗散功率PcPower Dissipation | 1W Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type. High Voltage Switching Applications. Switching Regulator Applications. DC-DC Converter Applications.
● High speed switching: tr = 0.5 μs (max), tf = 0.3 μs (max) (IC = 0.8 A).
● High collector breakdown voltage: VCEO = 370 V.
● High DC current gain: hFE = 60 (min) (IC = 0.2 A). 描述与应用 | 东芝晶体管的硅NPN三重扩散类型。 高电压开关应用。 开关稳压器应用。 DC-DC转换器应用。
●高速开关:TR=0.5us(最大),TF=0.3us(最大)(IC= 0.8 A)。
●高集电极击穿电压:VCEO= 370 V。
●高直流电流增益:HFE=60(min)(IC= 0.2 A)。
Toshiba(东芝)
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