| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.4A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 400mA/0.4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.8Ω/Ohm @200mA,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.6-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications High Speed Switching Applications • Small package • Low on resistance : Ron = 0.8 Ω max (@VGS = 4 V) Ron = 1.2 Ω max (@VGS = 2.5 V) • Low gate threshold voltage Absolute Maximum Rati 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 高速开关应用 •小型封装 •低导通电阻RON =0.8Ω最大（@ VGS=4 V） 罗恩= 1.2Ω最大（@VGS= 2.5 V） •低栅极阈值电压 绝对最大慧慧
Toshiba（东芝）
5 页 / 0.2 MByte
Toshiba（东芝）
5 页 / 0.21 MByte
Toshiba（东芝）
5 页 / 0.59 MByte
Toshiba（东芝）
TOSHIBA SSM3K09FU(TE85L,F) 晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 30 V, 700 mohm, 10 V, 1.8 V
Toshiba（东芝）
SSM3K09FU N沟道MOSFET 20V 400mA/0.4A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 DJ ESD保护/低导通电阻/高速开关
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
