类型 | 描述 |
---|
封装 | SOT-363 |
极性 | N+P |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.4A/0.2A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V/-20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V/12V 最大漏极电流IdDrain Current| 400mA/-200mA 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 800mΩ@ VGS = 4V, ID = 200mA / 3300mΩ@ VGS = -4V, ID =-100mA 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 0.6~1.1V/-0.6~-1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Q1: Ron = 0.8 Ω (max) (@VGS = 4 V) Q2: Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = −4 V) Low gate threshold voltage 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N/ P沟道MOS类型 电源管理开关 高速开关应用 ?小型封装 ?低阻力Q1:RON =0.8Ω(最大)(@ VGS=4 V) Q2:RON =3.3Ω(最大值)(@ VGS=-4 V) ?低栅极阈值电压
Toshiba(东芝)
8 页 / 0.3 MByte
Toshiba(东芝)
8 页 / 0.18 MByte
Toshiba(东芝)
8 页 / 0.19 MByte
Toshiba(东芝)
SSM6L05FU 复合场效应管 20V/-20V 400mA/-200mA SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 K4 电源管理 高速开关
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件