| 类型 | 描述 |
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| 封装 | ES-6 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.1A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 4Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.8~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switching Applications • Small package • Low ON resistance : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RON =7.0Ω（最大值）（@ VGS= 2.5 V）
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
SSM6N15FE 复合场效应管 30V 100mA/0.1A SOT-563/ES6 marking/标记 DP 高速开关
Toshiba（东芝）
SSM6N15FU 复合场效应管 30V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 DP 高速开关
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