| 类型 | 描述 |
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| 封装 | SOT-523 |
| 耗散功率(Max) | 100mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 8Ω/Ohm @10mA,2.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Type High Speed Switching Applications Analog Switching Applications Features Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High input impedance Low gate threshold voltage Excellent switching times Enhancement-mode 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N通道类型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 高输入阻抗 低栅极阈值电压 优良的开关时间 增强型
Toshiba（东芝）
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