| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电流 | 4.70 A |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 105 mΩ |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 2.1 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 输入电容 | 1.02 nF |
| 栅电荷 | 24.2 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.70 A |
| 上升时间 | 4.1 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1063pF @30V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.25 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Diodes（美台）
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ZXMC4559DN8 系列 60 V 0.55 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-SOIC-8
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