| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-226-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 900 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 160 V |
| 最小电流放大倍数 | 160 @200mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 900 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 160 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 900 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5.1 mm |
| 宽度 | 4.1 mm |
| 高度 | 8.2 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
小信号 PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor
●### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor
●双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor KSA1013YTA , PNP 晶体管, 1 A, Vce=160 V, HFE:60, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSA1013YBU 单晶体管 双极, PNP, -160 V, 50 MHz, 900 mW, -1 A, 160 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild（飞兆/仙童）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
Fairchild（飞兆/仙童）
PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor KSA1013OTA , PNP 晶体管, 1 A, Vce=160 V, HFE:60, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
Fairchild（飞兆/仙童）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
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