类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | SOT-343-4 |
针脚数 | 4 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 500 mW |
输入电容 | 1.3 pF |
击穿电压(集电极-发射极) | 4.5 V |
增益 | 10.5dB ~ 21.5dB |
最小电流放大倍数 | 110 @80mA, 3V |
额定功率(Max) | 500 mW |
直流电流增益(hFE) | 100 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 500 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2 mm |
宽度 | 1.25 mm |
高度 | 0.9 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
SiGe 射频双极晶体管,Infineon
●来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
Infineon(英飞凌)
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INFINEON BFP 650 H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 100 hFE
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