FDMS3686S 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	Power-56-8
描述:	PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDMS3686S 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
封装	Power-56-8
通道数	2 Channel
漏源极电阻	8 mΩ
极性	N-CH
功耗	2.5 W
漏源极电压(Vds)	30 V
漏源击穿电压	30 V
连续漏极电流(Ids)	13A/23A
输入电容值(Ciss)	1785pF @10V(Vds)
额定功率(Max)	1 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	2.2 W

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FDMS3686S 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	5.1 mm
宽度	6.1 mm
高度	1.05 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃

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FDMS3686S 符合标准

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FDMS3686 数据手册

FDMS3686S 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDMS3686S 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si N沟道 MOSFET FDMS3686S, 13 A，23 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装

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