| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 1.4 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 85 W |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5A |
| 上升时间 | 22 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 640pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 85 W |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 85W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.36 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.67 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP52N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 41 mohm, 10 V, 5 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP5800 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 20 V, 2.5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
ON Semiconductor（安森美）
FDP52N20 系列 200 V 49 mOhm 法兰安装 N 沟道 Mosfet - TO-220-3
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5800, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
Fairchild（飞兆/仙童）
60V N沟道MOSFET PowerTrenchTM 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP55N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 2 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
