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FJB3307DTM
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FJB3307DTM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:双极性晶体管
封装:TO-263-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJB3307DTM  晶体管, NPN, 400V, 8A, D2PAK
PDF文件:FJB3307DTM 数据手册 (6 页)
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焊盘图
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FJB3307DTM 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数2 Pin
封装TO-263-3
针脚数2 Position
极性NPN
功耗1.72 W
击穿电压(集电极-发射极)400 V
集电极最大允许电流8A
最小电流放大倍数5 @5A, 5V
额定功率(Max)1.72 W
直流电流增益(hFE)40
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)80 W
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FJB3307DTM 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.67 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
工作温度150℃ (TJ)
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FJB3307DTM 数据手册

FJB3307DTM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.22 MByte
FJB3307DTM 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
FJB3307DTM 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte

FJB3307 数据手册

FJB3307DTM 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJB3307DTM  晶体管, NPN, 400V, 8A, D2PAK
FJB3307DTM 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor FJB3307DTM , NPN 晶体管, 8 A, Vce=400 V, HFE:8, 1 MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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