FQPF11N50CF 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PDF文件:	FQPF11N50CF 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

FQPF11N50CF 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQPF11N50CF 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
漏源极电阻	550 mΩ
极性	N-Channel
功耗	48 W
漏源极电压(Vds)	500 V
漏源击穿电压	500 V
连续漏极电流(Ids)	11.0 A
上升时间	70 ns
输入电容值(Ciss)	2055pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	48 W
下降时间	75 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	48W (Tc)

查看数据手册 >

FQPF11N50CF 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.36 mm
宽度	4.9 mm
高度	16.07 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FQPF11N50CF 符合标准

FQPF11N50CF 海关信息

FQPF11N50CF 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.77 MByte

FQPF11N50CF 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.81 MByte

FQPF11N50 数据手册

FQPF11N50CF 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FQPF11N50CF 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF11N50CF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装

FQPF11N50CF 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号