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IPD034N06N3GATMA1
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IPD034N06N3GATMA1 数据手册 (9 页)
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IPD034N06N3GATMA1 技术参数、封装参数

IPD034N06N3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

IPD034N06N3GATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.42 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
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IPD034N06N3 数据手册

Infineon(英飞凌)
IPD034N06N3 系列 60 V 3.4 mOhm N沟道 OptiMOSTM3 功率-晶体管 -PG-TO-252-3
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPD034N06N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 3 V
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