Datasheet 搜索 > MOS管 > TI（德州仪器） > CSD16410Q5A Datasheet 文档
CSD16410Q5A
来自 AiPCBA

CSD16410Q5A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-FET-8
描述:N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
PDF文件:CSD16410Q5A 数据手册 (11 页)封装尺寸在6 页9 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD16410Q5A 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

CSD16410Q5A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-FET-8
通道数1 Channel
漏源极电阻0.0068 Ω
极性N-Channel
功耗3 W
阈值电压1.9 V
漏源极电压(Vds)25 V
漏源击穿电压25 V
连续漏极电流(Ids)59.0 A
上升时间10.7 ns
输入电容值(Ciss)740pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max)3 W
下降时间3.6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta)
查看数据手册 >

CSD16410Q5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6 mm
宽度4.9 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

CSD16410Q5A 数据手册

CSD16410Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
11 页 / 0.18 MByte
CSD16410Q5A 产品设计参考手册
TI（德州仪器）
101 页 / 5.8 MByte
CSD16410Q5A 开发手册
TI（德州仪器）
18 页 / 1.33 MByte

CSD16410Q5 数据手册

CSD16410Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet