| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | TDSON-8 |
| 额定功率 | 96 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0011 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 输入电容 | 4300 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 32A |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4300pF @20V(Vds) |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.9 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 1.27 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
表面贴装型 N 通道 40 V 32A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） SuperSO8
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.49 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.56 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC014N04LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC014N04LSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC014N04LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC014N04LSI 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 2 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
