类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TO-261-4 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.8 W |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 5.10 A |
输入电容值(Ciss) | 340pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
International Rectifier(国际整流器)
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(ON) = 0.075ohm ,ID = 2.8A ) Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFL024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFL024NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 55 V, 75 mohm, 10 V, 4 V
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFL024ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.0462 ohm, 10 V, 4 V
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