| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-263-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 65 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 集电极最大允许电流 | 6A |
| 最小电流放大倍数 | 30 |
| 最大电流放大倍数 | 75 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.29 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 最小包装数量 | 800 |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJB42CT4G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 65 W, -6 A, 15 hFE
ON Semiconductor（安森美）
互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
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