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MTY100N10E
来自 AiPCBA

MTY100N10E 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-264-3
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MTY100N10E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)100 V
额定电流100 mA
封装TO-264-3
极性N-CH
功耗300W (Tc)
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)100 A
上升时间490 ns
输入电容值(Ciss)10640pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)300W (Tc)
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MTY100N10E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Bulk
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MTY100N10E 数据手册

MTY100N10E 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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