| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 24.0 V |
| 额定电流 | 90.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 7.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 85 W |
| 输入电容 | 2.12 nF |
| 栅电荷 | 29.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 24 V |
| 漏源击穿电压 | 24 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 90.0 A |
| 上升时间 | 90 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2120pF @20V(Vds) |
| 下降时间 | 60 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 85W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.29 mm |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 高度 | 4.83 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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功率MOSFET 90安培， 24伏 Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts
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