| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -50.0 V |
| 额定电流 | -100 mA |
| 封装 | TO-92-3 |
| 功耗 | 350 mW |
| 增益频宽积 | 280 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 最小电流放大倍数 | 60 @2mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Bulk |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 4.19 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 100 mA 280MHz 350 mW 通孔 TO-92（TO-226）
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
放大器晶体管（ PNP硅） Amplifier Transistors(PNP Silicon)
Fairchild（飞兆/仙童）
流程63 PNP中功率 Process 63 PNP Medium Power
CJ（长电科技）
三极管(晶体管) BC212 TO-92 140-600
National Semiconductor（美国国家半导体）
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