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NTD18N06
来自 AiPCBA

NTD18N06 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:功率MOSFET 18安培， 60伏 Power MOSFET 18 Amps, 60 Volts
PDF文件:NTD18N06 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页9 页
典型应用电路图在1 页
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NTD18N06 数据手册 (9 页)
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NTD18N06 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)60.0 V
额定电流18.0 A
封装TO-252-3
漏源极电阻51.0 mΩ
极性N-Channel
功耗2.1 W
输入电容710 pF
栅电荷30.0 nC
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)18.0 A
输入电容值(Ciss)710pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)2.1 W
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NTD18N06 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTD18N06 数据手册

NTD18N06 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.15 MByte
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31 页 / 0.08 MByte
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