类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 52.0 A |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 30.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 214 W |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 60.0 A |
上升时间 | 95 ns |
输入电容值(Ciss) | 3150pF @25V(Vds) |
下降时间 | 100 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 214W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Bulk |
长度 | 10.28 mm |
宽度 | 4.82 mm |
高度 | 9.28 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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功率MOSFET 52安培, 100伏 Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts
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