Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > SPB11N60S5 Datasheet 文档
SPB11N60S5
来自 AiPCBA

SPB11N60S5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:600V,11A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:SPB11N60S5 数据手册 (11 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SPB11N60S5 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SPB11N60S5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)600 V
额定电流11.0 A
封装TO-252-3
极性N-CH
功耗125000 mW
输入电容1.46 nF
栅电荷54.0 nC
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)11.0 A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)1460pF @25V(Vds)
额定功率(Max)125 W
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
查看数据手册 >

SPB11N60S5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10 mm
宽度9.25 mm
高度4.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

SPB11N60S5 数据手册

SPB11N60S5 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.67 MByte

SPB11N60 数据手册

SPB11N60C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  SPB11N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
SPB11N60C3ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
SPB11N60C3 系列 650 V 0.38 Ohm N沟道 Cool MOS™ 功率 晶体管 - PG-TO-263
SPB11N60S5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
SPB11N60S5 数据手册
Infineon（英飞凌）
600V,11A,N沟道功率MOSFET
SPB11N60C3XT 数据手册
Infineon（英飞凌）
SPB11N60S5E3045 数据手册
Infineon（英飞凌）
SPB11N60S5 数据手册
Siemens Semiconductor（西门子）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet