| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 35.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 0.014 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 50 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 35.0 A |
| 上升时间 | 100 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 800pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 50 W |
| 下降时间 | 21 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 50W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STD35NF 系列 N 沟道 30 V 0.0195 Ohm STripFET™ II 功率 Mosfet - TO-252-3
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.014ohm - 35A - DPAK封装的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.014ohm - 35A - DPAK封装的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.014欧姆 - 35A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
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