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STH15NB50FI
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STH15NB50FI 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:ISOWATT-218-3
描述:N沟道500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247 / ISOWATT218的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
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STH15NB50FI 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装ISOWATT-218-3
极性N-CH
功耗80W (Tc)
输入电容3.40 nF
栅电荷80.0 nC
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)9.30 A
输入电容值(Ciss)3400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)80 W
耗散功率(Max)80W (Tc)
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STH15NB50FI 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度150℃ (TJ)
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STH15NB50FI 数据手册

STH15NB50FI 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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n沟道增强模式MESH OVERLAY功率MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MESH OVERLAY POWER MOSFET
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N沟道500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247 / ISOWATT218的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
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