| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 1.00 kV |
| 额定电流 | 3.00 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 100W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 1000 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.00 A |
| 上升时间 | 12.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 700pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 100W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 3A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STP3NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP36NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
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