类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
额定电压(DC) | 400 V |
额定电流 | 4.70 A |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 1.75 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 80W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 400 V |
漏源击穿电压 | 400 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.70 A |
上升时间 | 8.00 ns |
输入电容值(Ciss) | 405pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 80 W |
耗散功率(Max) | 80W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 4.7A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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