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STN5PF02V
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STN5PF02V 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-223-3
描述:P沟道20V - 0.065з - 4.2A - SOT- 223 2.5V - 驱动STripFET⑩ II功率MOSFET P-channel 20V - 0.065з - 4.2A - SOT-223 2.5V - Drive STripFET⑩ II Power MOSFET
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STN5PF02V 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-5.00 A
封装SOT-223-3
通道数1 Channel
漏源极电阻80 mΩ
极性P-Channel
功耗2.5 W
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)5.00 A
上升时间47 ns
输入电容值(Ciss)412pF @15V(Vds)
额定功率(Max)2.5 W
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Tc)
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STN5PF02V 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度3.5 mm
高度1.8 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STN5PF02V 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
P沟道20V - 0.065з - 4.2A - SOT- 223 2.5V - 驱动STripFET⑩ II功率MOSFET P-channel 20V - 0.065з - 4.2A - SOT-223 2.5V - Drive STripFET⑩ II Power MOSFET
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