| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.043 Ω |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.7A/3.4A |
| 热阻 | 62.5℃/W (RθJA) |
| 输入电容值(Ciss) | 740pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 高度 | 1.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IRF7343TRPBF 是一款双N/P沟道MOSFET, 采用最新的处理技术, 实现极低的导通电阻。这款器件具有快开关速度和坚固耐用设计。HEXFET 功率MOSFET是一款高效率器件, 可用于多种应用。SO-8经过优化, 采用定制引线框架, 以增强温度特性和双管芯功能, 非常适合电源应用。通过这些改进, 可以同时使用多个器件从而缩小电路板空间。
●SP001565516
● 第五代技术
● 超低导通电阻
● 表面安装设备
● 雪崩级别
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
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INFINEON IRF7343TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
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INFINEON IRF7343PBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
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MOS全桥,55V/4.7A(-55V/-3.4A)
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