| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.023 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 700 mV |
| 输入电容 | 900 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.6A |
| 上升时间 | 17 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 900pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 31 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IRF7311TRPBF 是一款双N沟道MOSFET, 采用最新的处理技术, 实现极低的导通电阻。这款器件具有快开关速度和坚固耐用设计。HEXFET 功率MOSFET是一款高效率器件, 可用于多种应用。SO-8经过优化, 采用定制引线框架, 以增强温度特性和双管芯功能, 非常适合电源应用。通过这些改进, 可以同时使用多个器件从而缩小电路板空间。
●SP001574720
● 第五代技术
● 超低导通电阻
● 表面安装设备
● 雪崩级别
Infineon（英飞凌）
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IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7311TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRF7311PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 29 mohm, 4.5 V, 700 mV
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