类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
额定功率 | 330 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.012 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 350 W |
阈值电压 | 5 V |
输入电容 | 4460 pF |
漏源极电压(Vds) | 150 V |
漏源击穿电压 | 150 V |
连续漏极电流(Ids) | 83A |
上升时间 | 60 ns |
输入电容值(Ciss) | 4460pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 350 W |
下降时间 | 35 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 350W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 11.3 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRFS4321PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 83 A, 150 V, 0.012 ohm, 10 V, 5 V
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INFINEON IRFS4321TRL7PP 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 86A, TO-263-7
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场效应管(MOSFET) IRFS4321TRRPBF D2PAK
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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