| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 2 W |
| 漏源极电阻 | 0.0183 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 2.55 V |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10A/12A |
| 输入电容值(Ciss) | 900pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.28 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
27 页 / 0.31 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
双SO- 8 MOSFET在台式机，服务器，显卡，游戏机POL转换器和机顶盒 Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box
Infineon（英飞凌）
N沟道 20 V 2 W 7.4/15 nC 功率Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
Infineon（英飞凌）
HEXFET® 双 N 通道功率 MOSFET，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
